Simulation und Design von Epitaxiestrukturen (Heterostrukturen) für III/V-Halbleiterlaserdioden im MIR-Bereich (GaAs-, InP- oder GaSb-basierende Systeme)
Entwicklung und Optimierung von Quantenfilmen, Barrieren, Wellenleitern und Dotierungsprofilen mit besonderem Focus auf Brillanz, Effizienz und Zuverlässigkeit
Einsatz und Weiterentwicklung von Simulations- und Designsoftware (z. B. HAROLD, LUMERICAL, APSYS, MATLAB oder vergleichbare Tools), ggf. Entwicklung eigener Modelle
Konzeption, Simulation und Weiterentwicklung von Chip- und Heterostrukturdesigns für III/V-Halbleiterlaserdioden auf Basis physikalischer Modelle (Bandstruktur, Ladungsträgerdynamik, Rekombinationsmechanismen, Wärmehaushalt)
Analyse der physikalischen Zusammenhänge zwischen epitaktischem Aufbau und den optoelektrischen Eigenschaften der Bauteile
Validierung von Simulationsergebnissen durch enge Zusammenarbeit mit der...