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L'intelligence artificielle (IA) actuelle est limitée par le « goulot d'étranglement de Von Neumann », où la séparation entre les unités de traitement et de mémoire entraîne une forte inefficacité énergétique. Le projet SYNEART (ANR-25-PEXD-) vise à résoudre ce problème en exploitant la physique des couches minces ferroélectriques relaxeurs afin de produire des dispositifs neuromorphiques. Comparés aux ferroélectriques conventionnels, les ferroélectriques relaxeurs se caractérisent par des nanorégions polaires et un paysage énergétique « plat », ce qui leur permet de présenter plusieurs états stables. Ils constituent donc des candidats idéaux pour la fabrication de synapses et neurones artificiels consommant beaucoup moins d'énergie que les technologies CMOS traditionnelles. Afin d'accélérer la découverte des meilleures combinaisons « composition/épaisseur/électrode », le projet utilise la synthèse à haut débit (Combinatorial Pulsed Laser Depositi...